Laser annealing of P and Al implanted 4H-SiC epitaxial layers

Articolo
Data di Pubblicazione:
2019
Tipologia CRIS:
14.a.1 Articolo su rivista
Keywords:
Aluminum; Ion implantation; Laser annealing; Phosphorus; Photoluminescence; Point defects;Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET); Raman; SiC; TEM
Elenco autori:
Calabretta, C.; Agati, M.; Zimbone, M.; Boninelli, S.; Castiello, A.; Pecora, A.; Fortunato, G.; Calcagno, L.; Torrisi, L.; La Via, F.
Autori di Ateneo:
TORRISI Lorenzo
Link alla scheda completa:
https://iris.unime.it/handle/11570/3149367
Pubblicato in:
MATERIALS
Journal